激光全息光刻技术的基本原理及发展

2008/8/25/10:38来源:中国光学光电子行业网
    摘要:论述了激光全息光刻技术的基本原理、发展状况和在制备衍射光栅及场发射平板显示器等光电子器件方面的应用。  
   
    1 引 言 

    光刻工艺是微电子技术的核心技术之一,是一种最精密的半导体晶片表面图形加工技术。在常规的光刻工艺中,首先要设计出图形复制用的掩模版,然后通过投影步进曝光机使覆盖在半导体晶片上的光致抗蚀剂膜按掩模版的图形曝光。 
   
    随着半导体器件图形尺寸的日益缩小,特别是有些电子器件需要有很大的面积(如平板显示器),这样基于投影曝光的传统光刻方法受到了象场尺寸和分辨率的限制。由于投影曝光的象场尺寸很小(如1~2μm线宽的曝光象场尺寸小于50mm×50mm),因而曝光图形就必须在整个基片表面步进重复或扫描重复。这样在大面积衬底上制备由微小图形阵列构成的器件时,显得效率很低。此外,投影曝光机价格昂贵以及高成本的掩模版制备过程和使用过程中掩模版的消耗,都使投影光刻的成本很高。 
   
    激光全息光刻技术是一种基于相干光干涉效应的无掩模版光刻技术。在这种技术中,使用多束激光在晶片表面重迭发生干涉效应从而产生各种由光亮区和暗区构成的干涉图形。图形以重复周期排列,图形的最小线宽可达波长的几分之一。由于干涉图形能形成在任意表面,所以避免了常规光刻中晶面的平整度和表面形貌对光刻质量的影响。此外,系统中没有掩模版和成象透镜,象场尺寸仅与使用激光束尺寸有关,所以能够加工大面积图形。 
   
    由于上述优点,激光全息光刻技术在用于制备衍射光栅及微透镜的基础上,近来又在制备具有大面积重复结构图形阵列的场发射平板显示器方面表现出了广阔的应用前景。本文介绍了激光全息光刻技术的原理、发展及应用状况。 

    2 激光全息光刻制备衍射光栅 
    
    早在80年代中期,激光全息光刻技术就被用于Ⅲ-Ⅴ族化合物光电子器件的制备中,其中研究最多的是用全息光刻直接形成分布反馈(DFB)半导体激光器的光栅结构。在这种技术中,全息激光光刻与光诱导湿法化学腐蚀相结合,能获得比常规半导体光刻技术更精细的光栅结构,是一种简单精细的光栅制备方法。图1给出了这种全息光刻装置的示意图[1]。半导体样品浸在腐蚀液中,当激光束在半导体晶片表面形成光栅图样时,由于激光光诱导液相腐蚀的作用[2],在半导体表面形成光栅图形,其周期为式中λ是入射激光波长;n是腐蚀液的折射率;θi为光束的入射角。改变相干激光束的入射角,能制备各种尺寸的光栅结构,满足DFB激光器0.1~0.3μm周期光栅的要求。为能实时监测光刻过程,光刻装置中增加了一个He-Ne激光器(632.8nm)。这束激光在形成的光栅结构上反射,能获得腐蚀结构的信息。此外,Bjorkholm等人[3]也研究了直接用干涉激光束的反射来监测光栅腐蚀的过程。

    Tsukada等人[4]使用图1所示装置(用568和647nm的激光,HF或H2SO4),在n-GaAs和GaAlAs上制备了高质量的衍射光栅。Aoyagi[5]和Podlesnik[6]等人用Ar+激光和I2(0.1%)+KI(10%)及H2O2∶H2SO4∶H2O的腐蚀液也在GaAs表面上实现了DFB激光器光栅的制备。 

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